由此可见，只有单步良率达到了5个n的时候，最终良率才能达到99.5%的水平，这也是半导体设备的难点所在。

在半导体设备的制造环节，可以分为前道晶圆设备制造、封装设备以及测试设备。

其中最关键还是前道工艺设备。

这也是资本开支占比最高的，在去掉产房以及验收等，前道工艺设备的投资占了总比的百分之七八十左右，如果制程精度越高，这个比例还会更高，比如当达到16纳米以内的时候会达到85%的比例，7纳米以下会更高。

前道设备的工艺流程具体又分为：氧化扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、抛光、晶圆检测等环节。

在当前全球半导体设备的竞争格局中，各大环节的头部企业都被外国寡头企业垄断，国内企业基本够不着第一梯队的影子，这是很现实的问题。

半导体设备存在三大壁垒。

第一是技术层面的壁垒，首先一个就是半导体设备是由成千上万个零部件组成的复杂系统，而将这些零部件有机的组合成一体，并且实现想要的精度在纳米级上的操作。

第二个壁垒就是要保障这些纳米级操作的基础上实现超高良率，要知道即便良率在90%的情况下，最终产品的良率也是零。

第三个壁垒就是在保障设备精度和良率的基础上，让它持续稳定的生产，这一点也导致了行业天然形成寡头垄断。

如果从客户验证的角度而言，因为半导体设备本身和产线的复杂性摆在那的，单设备的良率以及稳定性对整个体系环节会产生累计效应，从而造成潜在的巨额损失，这也是晶圆制造厂对于上游设备验证、验收有着极为严格要求的原因。

而一旦符合厂商的要求，那是很难去替换其它厂商的设备，原因就是换设备厂商要面临巨大的风险和验收的时间成本，这就造成了半导体设备全球寡头垄断的格局，厂商跟这家企业达成合作之后大概率就会一直合作下去，不到万不得已都不会轻易更换合作伙伴。

在半导体前道工艺制造设备里面，方鸿也是很清楚的知道各大设备在总的资本开支占比是多少，毕竟前世就深度介入了这个行业。

刻蚀设备占22%、薄膜沉积设备占22%，光刻机占20%。

这三大半导体设备就占了总投资超过60%的开支比例。